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Si7123DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
T J = 150 °C
0.04
I D = - 15 A
10
0.03
T J = 25 °C
1
0.02
0.1
T A = 150 °C
0.01
0.01
T A = 25 °C
0.001
0
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.3
2.3
3.3
4.3
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
I D = - 250 μA
40
0.2
30
0.1
20
0.0
- 0.1
- 0.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
10 ms
1
0.1
0.01
T C = 25 °C
100 ms
1s
10 s
DC
Single P u lse
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69655
S10-0347-Rev. D, 15-Feb-10
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